公司成立；

穆棱生產(chǎn)基地產(chǎn)線投產(chǎn)；

34mm、62mm等標準IGBT模塊設計開發(fā)完成；

自主設計，代工生產(chǎn)的1200V等級首顆IGBT芯片開發(fā)成功（1200V 100A），采用溝槽柵＋場截止＋減薄技術，對標友商IGBT4產(chǎn)品，可靠性通過工業(yè)級考核。

進行PIM（功率集成）模塊設計；

650V等級IGBT芯片流片，首顆150A芯片產(chǎn)出；

1200V等級IGBT模塊在逆變焊機、工業(yè)變頻市場獲得小批量訂單；

成立SiC芯片開發(fā)項目組，進行SiC二極管及MOSFET芯片調(diào)研規(guī)劃；

1200V等級IGBT芯片電流規(guī)格不斷完善，75A、150A及200A產(chǎn)品釋放。

PIM模塊產(chǎn)出，可靠性通過工業(yè)級考核；

650V等級首顆IGBT芯片可靠性通過工業(yè)級考核，75A、100A、200A芯片釋放；

1200V等級IGBT模塊在逆變焊機、工業(yè)變頻等領域獲得批量訂單，產(chǎn)品性能得到客戶認可；

針對光伏、白色家電等領域需求，進行EZ 1B、2B及650V IPM模塊（智能功率模塊）開發(fā)；

1200V 20A SiC JBS二極管產(chǎn)出，可靠性通過工業(yè)級考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片。

EZ系列及650V IPM產(chǎn)品可靠性考核測試通過;

基于市場需求，開發(fā)新能源汽車電機控制器模塊；

基于市場需求，開發(fā)1600V 逆導型IGBT芯片，工程批可靠性考核通過；

650V及1200V等級50A、75A、100A及150A PIM模塊在感應加熱、伺服驅(qū)動等領域獲得批量訂單；

1200V等級SiC JBS芯片譜系完整，電流涉及20A、30A及40A，1200V 17mΩ、30mΩ、80mΩ SiC MOSFET芯片釋放。

開發(fā)混合SiC模塊（Si IGBT＋SiC JBS芯片），滿足低損耗領域需求；

1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領域獲得批量訂單；

基于新能源汽車需求開發(fā)750V等級大電流IGBT芯片，225A產(chǎn)品工程批結束；

開發(fā)650V系列SiC JBS及MOSFET芯片，40A JBS及15mΩ MOSFET芯片釋放；

650V及1200V EZ系列產(chǎn)品在光伏領域獲得小批量訂單，在伺服驅(qū)動領域獲得批量訂單，1600V 40A逆導型IGBT芯片在工業(yè)電磁爐應用獲批量訂單。

開發(fā)雙面散熱模塊，風力發(fā)電IGBT模塊；

1200V 等級SiC MPS芯片開發(fā)，浪涌電流達到12倍額定電流；

新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；

為保證芯片供貨安全及交期，公司流片廠新增加國內(nèi)積塔半導體及華虹宏力半導體；

650V及1200V精細溝槽柵芯片開發(fā)，對標友商IGBT7產(chǎn)品，芯片損耗及面積減小明顯。

雙面散熱及風電模塊工藝驗證；

公司產(chǎn)品覆蓋工業(yè)類及汽車類產(chǎn)品；

650V及1200V 溝槽柵SiC MOSFET芯片設計；

具備650V及1200V精細溝槽柵IGBT芯片平臺，75A、150A及200A芯片可靠性考核。