一、崗位職責：
1、負責IGBT、MOSFET等功率半導體器件設計與開發(fā)工作，含IGBT芯片建模、工藝仿真、結構設計、工藝流程制定；
2、負責解決封裝（模塊）設計與開發(fā)過程中的關鍵設計、電熱聯(lián)合仿真、工藝等技術問題，進行封裝性能分析及優(yōu)化，確保研發(fā)項目的順利進行；
3、相關專利文件撰寫及申請；
4、負責建立IGBT功率模塊封裝工藝和材料可靠性模型，制定可靠性驗證方案，收集及分析數(shù)據(jù)，解決失效問題，深入分析失效機理、失效模式和失效模型，提出改進方法；
5、負責維護相關產品領域的研發(fā)數(shù)據(jù)庫和設計規(guī)則、檢查表；
6、負責功率半導體器件新技術、新標準、新工具和新方法學的研究及開發(fā)。
二、任職要求：
1、本科及以上學歷，電子信息工程或材料科學等相關專業(yè)，有較好的電磁場和熱力學理論基礎；
2、具備3年以上IGBT模塊的設計經(jīng)驗或IGBT器件和模塊的實際應用經(jīng)驗，熟悉IGBT、MOSFET、SIC等功率半導體器件的開發(fā)流程；
3、熟悉半導體封裝工藝流程，對模塊可靠性設計以及晶圓工藝，封裝，測試有深入理解，擅長電磁場和電路分析，溫度場分析，熟練使用多物理場仿真軟件(Ansys，Comsol，Multiphysics等)；
4、熟悉失效分析方法，對業(yè)內常見的IGBT/SiC功率模塊封裝失效機理有深刻的理解，熟練使用soildworks軟件；
5、了解芯片封裝層面的熱應力、機械應力仿真，PI/SI仿真內容;
6、踏實努力，積極主動，善于表達溝通，具有良好的團隊協(xié)作精神，英文良好。
北一全景
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