將IGBT芯片、FRD芯片、驅(qū)動(dòng)保護(hù)芯片、檢測(cè)電路等集成在同一個(gè)模塊內(nèi),形成智能功率模塊(IPM)。應(yīng)用中通過(guò)調(diào)節(jié)輸出交流電的幅值和頻率控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速實(shí)現(xiàn)變頻,具有集成度高、節(jié)能、過(guò)熱保護(hù)、抗干擾能力、智能控制等優(yōu)點(diǎn)。
在性能方面:芯片方面,公司IGBT芯片技術(shù)對(duì)標(biāo)友商IGBT4產(chǎn)品,IGBT7產(chǎn)品正在進(jìn)行可靠性考核;模塊方面,通過(guò)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),模塊具有寄生參數(shù)小、熱阻低及多芯片并聯(lián)芯片均流特性好的特點(diǎn)。產(chǎn)品整體性能處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。
在價(jià)格方面:依托于先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)及戰(zhàn)略合作晶圓流片廠良好的管控經(jīng)驗(yàn),芯片面積及良率處于國(guó)際領(lǐng)先水平,因此芯片成本具有優(yōu)勢(shì)。同時(shí),依托于公司自動(dòng)封裝產(chǎn)線,產(chǎn)品在一致性及良率方面得到了保證。上述兩方面保證了公司模塊產(chǎn)品價(jià)格在市場(chǎng)具備競(jìng)爭(zhēng)力。
在可靠性方面:公司模塊產(chǎn)品嚴(yán)格按照相對(duì)應(yīng)的質(zhì)量等級(jí)進(jìn)行考核,如工業(yè)級(jí)按照IEC60747、汽車級(jí)按照AQG324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行考核。同時(shí),為了保證產(chǎn)品一致性,工藝中加強(qiáng)了焊接空洞及鍵合線推拉力檢測(cè)頻次,測(cè)試中增加了安全工作區(qū)及短路測(cè)試,保證了產(chǎn)品可靠性。
1. 依據(jù)應(yīng)用定義芯片及模塊要求,逐步占領(lǐng)各個(gè)市場(chǎng);
IGBT芯片及模塊設(shè)計(jì)時(shí)均要求折中設(shè)計(jì),如飽和壓降和關(guān)斷損耗的折中,短路耐量和芯片面積的折中,模塊壽命和封裝材料成本的折中,以滿足不同的應(yīng)用需求,保證產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的同時(shí)降低生產(chǎn)成本。
通過(guò)上述方式,北一公司已經(jīng)陸續(xù)占領(lǐng)國(guó)內(nèi)焊機(jī)、工業(yè)變頻、伺服控制市場(chǎng),今年將發(fā)力新能源汽車及光伏市場(chǎng),通過(guò)2-3年時(shí)間,成為相關(guān)領(lǐng)域頭部企業(yè)。
2. 模塊出廠進(jìn)行100%電學(xué)參數(shù)測(cè)試,以保證應(yīng)用可靠性;
北一IGBT模塊出廠進(jìn)行完整的電學(xué)參數(shù)測(cè)試,包括常溫及高溫動(dòng)靜態(tài)測(cè)試、安全工作區(qū)測(cè)試,短路測(cè)試等,以保證應(yīng)用可靠性。
3. 建立了完整的IGBT芯片及模塊開(kāi)發(fā)流程,保證了產(chǎn)品可靠性;
通過(guò)幾年的努力,北一建立了完整的IGBT芯片及模塊開(kāi)發(fā)流程,制定了可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及方法,保證了產(chǎn)品可靠性。
4. 在高可靠應(yīng)用領(lǐng)域通過(guò)篩選剔除早期失效,降低應(yīng)用失效率;
針對(duì)電動(dòng)汽車、風(fēng)電、光伏等高可靠性應(yīng)用領(lǐng)域,進(jìn)行短時(shí)HTRB、HTGB、高低溫貯存等篩選,剔除早期失效,降低客戶應(yīng)用端失效。該方式交付的產(chǎn)品已經(jīng)得到客戶認(rèn)可。